上一篇(pian):LAP-DW2000幹濕一(yi)體激光(guāng)粒度儀(yí)
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返回列(lie)表>>納(na)米激光(guāng)粒度分(fen)析儀采(cai)用動态(tai)光散射(shè)原理和(he)光❓子☂️相(xiang)關光譜(pǔ)⛱️技術,根(gēn)據顆粒(lì)在液體(tǐ)中的布(bu)朗運動(dòng)的速度(du)測⁉️定顆(ke)粒大小(xiǎo)。小顆粒(li)布朗運(yun)動速度(dù)快,大🔆顆(kē)粒布朗(lǎng)運動速(sù)度慢✉️,激(jī)光照射(shè)這些顆(kē)粒,不同(tóng)大小的(de)顆粒将(jiāng)使散射(shè)光發生(sheng)快慢不(bú)同的🛀🏻漲(zhǎng)落起伏(fú)❤️。光子相(xiàng)關光譜(pu)法就根(gēn)據特定(ding)方向的(de)光子漲(zhǎng)落起😘伏(fu)分析其(qí)顆🔴粒大(dà)小。因此(ci)本儀器(qi)具有原(yuán)理*、精度(dù)*的特點(diǎn),從而保(bǎo)證了☁️測(ce)試結果(guo)的真實(shí)性和有(you)效性;是(shì)納米激(jī)顆粒粒(lì)度測🌈定(dìng)的儀器(qi)。
免費咨(zi)詢:
LAP-NM10000納米粒(lì)度儀
一、納(nà)米激光(guang)粒度分(fèn)析儀産品(pǐn)介紹
納米(mi)粒度儀(yí)基于光(guāng)子相關(guān)光譜技(jì)術,以本(běn)公司技(ji)術🏃♂️研制(zhì)的♍大動(dòng)态範圍(wéi)高速光(guāng)子相關(guan)器爲核(he)心器件(jiàn),采用本(ben)公司在(zai)顆💘粒粒(li)度反演(yǎn)算法上(shang)的研究(jiu)成果,因(yin)此🔞具有(you)準确度(du)高、重複(fu)性✂️高的(de)特點,它(ta)采用高(gāo)速數字(zì)相關器(qì)和專業(yè)的高性(xìng)能光電(dian)倍增管(guan)作爲核(he)心器件(jiàn),具🔞有快(kuài)速、高分(fen)💔辨率、重(zhong)複及準(zhun)确等特(te)點💋,是納(nà)米顆粒(li)粒度測(cè)定的産(chǎn)品。
二、納米(mǐ)激光粒(li)度分析(xī)儀測試原(yuan)理
;是(shi)納米激(ji)顆粒粒(lì)度測定(ding)的儀器(qì)。
三(sān)、
1010的動态(tai)範圍,并(bing)保證了(le)相關函(han)數基線(xiàn)的穩定(dìng)性。
2、優選反(fan)演算法(fǎ):采(cai)用較優(yōu)拟合累(lei)積反演(yan)法和基(ji)于V-1%
、*的(de)抗噪能(néng)力:采用小(xiao)波消噪(zao)技術,解(jiě)決了散(san)射光強(qiáng)較低時(shi),噪聲過(guo)大☂️對測(cè)⁉️量結果(guo)的影響(xiǎng)。
、穩(wěn)定的光(guang)路系統(tǒng):采(cai)用恒溫(wen)532nm固(gù)态激光(guāng)光源和(he)單模保(bao)偏光纖(xian)技術搭(da)建而成(cheng)的光路(lu)系😍統,保(bǎo)證了光(guāng)子相關(guān)光譜測(ce)量系統(tong)的穩定(dìng)性和準(zhǔn)确度。
5基于(yu)半導體(ti)制冷裝(zhuāng)置,采用(yòng)自适應(yīng)PID控(kong)制算法(fa),使溫度(dù)控制精(jīng)度達±。
6、高(gao)靈敏度(dù)光子探(tàn)測器:采用(yong)專業級(ji)高性能(néng)光電倍(bei)增管,對(duì)光子信(xìn)号具有(you)*的靈敏(min)度和⭐信(xìn)噪比。光(guāng)子計數(shu)器采用(yòng)邊沿觸(chu)發模式(shi),瞬間捕(bu)㊙️捉光子(zi)脈沖的(de)變化。
軟件(jian)功能
1
2
、自動(dòng)優化光(guāng)子相關(guan)器參數(shù),以适應(yīng)不同樣(yàng)品
五、測試(shì)報告
山東(dōng)日科的(de)測試結(jié)果如下(xià):
六(liù)、技術指(zhǐ)标
LAP-NM10000納米(mǐ)激光粒(lì)度儀技(ji)術參數(shù)及詳細(xi)配置 | |
型(xíng)号 | |
執行(háng)标準 | GB/T 29022-2012/ISO 22412:2008 |
測(cè)試範圍(wéi) | 1-10000nm(與樣品(pin)有關) |
ZETA電(diàn)位範圍(wei) | ±500mv |
1000~2×107Da | |
λ=635nm,恒溫(wen)半導體(tǐ)激光器(qì) | |
濃度範(fàn)圍 | 0.1ppm—40%w/v (與樣(yàng)品有關(guan)) |
探測器(qì) | HAMAMATSU光電倍(bèi)增管(PMT),使(shǐ)用單模(mo)保偏光(guang)纖 |
相關(guān)器 | |
散射角(jiǎo) | |
樣品池(chí) | 10mm*10mm , 4ml |
溫度範(fan)圍 | 8-60℃(溫度(dù)到0.1℃) |
數據(jù)處理 | 較(jiao)優拟合(hé)累積分(fen)析法和(hé)改進正(zhèng)規化算(suan)法,可給(gei)出平均(jun)粒徑🌈及(jí)粒度分(fèn)布曲線(xiàn) |
軟件功(gong)能 | 一鍵(jiàn)式測量(liang),自動優(yōu)化測量(liang)參數,輕(qīng)松生成(cheng)測試報(bào)表 |
輸出(chū)項目 | 平(ping)均粒徑(jìng)、多分散(sàn)系數、粒(lì)度分布(bu)曲線、粒(lì)度分布(bù)表等 |
測(ce)試速度(dù) | <5Min/次 |
準确(que)性誤差(cha) | <1% |
<1% | |
外(wai)形尺寸(cun) | 390mm×255mm×240mm(目前體(tǐ)積較小(xiǎo)的納米(mǐ)粒度儀(yi)) |
電源 | AC100~260V, 50/60Hz, 較(jiao)大功率(lü)80W |
使用環(huán)境 | 溫度(du):15~40℃,濕度20~70%。無(wu)冷凝 |
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